IRF520NPBF - MOSFET à canal N

Le MOSFET est un type de transistor à effet de champ. Il module le courant qui le traverse à l’aide d’un signal appliqué sur son électrode centrale nommée grille.

1,25 TTC - 1,04 HT

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UGS : A0149 Catégorie : Étiquettes : , , , , , , ,
IRF520NPBF - MOSFET à canal N
IRF520NPBF - MOSFET à canal N
IRF520NPBF - MOSFET à canal N

Caractéristiques

Informations : 

  •  TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220
  •  Polarité transistor: Canal N
  •  Courant de drain Id: 9.7A
  •  Tension Vds max..: 100V
  •  Résistance Rds(on): 200mohm
  •  Tension, mesure Rds: 10V
  •  Tension de seuil Vgs: 4V
  •  Dissipation de puissance Pd: 47W
  •  Type de boîtier de transistor: TO-220AB
  •  Nombre de broches: 3
  •  Température de fonctionnement max..: 175°C
  •  MSL: 
  •  SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
  •  Configuration du Brochage: a
  •  Courant, Idm impul.: 38A
  •  Format de broche: 1 g
  •  2 d/tab
  •  3 s
  •  Marquage composant: IRF520N
  •  Nombre de transistors: 1
  •  Pas: 2.54mm
  •  Température de fonctionnement: -55°C à +175°C
  •  Température, courant: 25°C
  •  Température, puissance: 25°C
  •  Température d’utilisation min: -55°C
  •  Tension, Vds typ.: 100V
  •  Tension, Vgs max..: 4V
  •  Tension, Vgs, mesure de Rds on: 10V

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